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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
92
左右 -179% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
33
读取速度,GB/s
2,105.4
14.5
写入速度,GB/s
1,266.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3091
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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