RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
92
Autour de -179% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3091
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link