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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
92
左右 -42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
65
读取速度,GB/s
2,105.4
16.1
写入速度,GB/s
1,266.1
8.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
1836
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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