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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
92
左右 -254% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
26
读取速度,GB/s
2,105.4
18.7
写入速度,GB/s
1,266.1
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3834
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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