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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
92
左右 -229% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.2
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
28
读取速度,GB/s
2,105.4
18.9
写入速度,GB/s
1,266.1
16.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3835
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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