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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
92
左右 -46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
63
读取速度,GB/s
2,105.4
10.0
写入速度,GB/s
1,266.1
7.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
2162
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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