Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 10

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

63 92

Около -46% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.0 1,266.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

92 63
Скорость чтения, Гб/сек

2,105.4 10.0
Скорость записи, Гб/сек

1,266.1 7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

339 2162

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

модули RAM