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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
总分
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
45
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
45
读取速度,GB/s
13.7
10.0
写入速度,GB/s
9.7
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2431
2414
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
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