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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.9
15.8
写入速度,GB/s
9.5
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2684
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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