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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
42
读取速度,GB/s
14.9
15.5
写入速度,GB/s
9.5
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3170
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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