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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.5
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2652
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
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