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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
14.9
18.5
写入速度,GB/s
9.5
14.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3434
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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