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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
36
左右 -157% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
26.4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
14
读取速度,GB/s
14.9
26.4
写入速度,GB/s
9.5
19.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
4362
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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