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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston 9905711-015.A00G 4GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
41
读取速度,GB/s
14.9
13.8
写入速度,GB/s
9.5
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2134
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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