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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
14.9
19.7
写入速度,GB/s
9.5
13.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3186
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
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