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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
14.9
15.6
写入速度,GB/s
9.5
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2767
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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