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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
48
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
48
读取速度,GB/s
14.9
10.8
写入速度,GB/s
9.5
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2431
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
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