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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
61
101
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.0
2,077.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
101
读取速度,GB/s
3,835.2
14.5
写入速度,GB/s
2,077.3
6.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
1369
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
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