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Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
比较
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB vs Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
总分
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
总分
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,366.2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
61
左右 -126% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
27
读取速度,GB/s
4,614.7
18.8
写入速度,GB/s
2,366.2
15.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
772
3651
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
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