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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
16.4
写入速度,GB/s
8.9
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3096
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
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