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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
54
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
20
读取速度,GB/s
3,573.5
16.0
写入速度,GB/s
1,308.1
7.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
2414
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
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