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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
374
左右 86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
0.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
1.0
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
374
读取速度,GB/s
3,573.5
0.8
写入速度,GB/s
1,308.1
1.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
269
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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