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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
54
左右 -50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
36
读取速度,GB/s
3,573.5
15.5
写入速度,GB/s
1,308.1
11.9
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
2734
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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