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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
比较
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
总分
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,636.8
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
68
左右 -258% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
19
读取速度,GB/s
4,540.8
20.5
写入速度,GB/s
2,636.8
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
827
3665
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
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