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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
比较
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
总分
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
11.7
18.0
写入速度,GB/s
8.4
15.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1578
3694
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
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