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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
72
左右 -167% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
27
读取速度,GB/s
4,241.0
17.7
写入速度,GB/s
1,938.7
15.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
3798
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
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