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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
72
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
24
读取速度,GB/s
4,241.0
16.8
写入速度,GB/s
1,938.7
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
3009
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
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