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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
24
读取速度,GB/s
12.3
13.7
写入速度,GB/s
8.9
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2046
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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