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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB

总分
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

总分
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Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB

Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 51
    左右 -96% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 9.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    51 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 11.9
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 7.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2208 left arrow 2000

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