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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2000
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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