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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
51
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2000
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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