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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
72
左右 -157% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
28
读取速度,GB/s
4,241.0
18.0
写入速度,GB/s
1,938.7
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
3080
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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