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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
72
左右 -157% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.0
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
28
读取速度,GB/s
4,241.0
19.1
写入速度,GB/s
1,938.7
17.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
3786
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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