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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
72
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
31
读取速度,GB/s
4,241.0
15.6
写入速度,GB/s
1,938.7
11.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
3024
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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