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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
72
左右 -106% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
35
读取速度,GB/s
4,241.0
10.3
写入速度,GB/s
1,938.7
8.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2311
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
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