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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
64
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
32
读取速度,GB/s
4,651.3
14.6
写入速度,GB/s
2,256.8
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2959
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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