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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
64
左右 -121% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
29
读取速度,GB/s
4,651.3
16.9
写入速度,GB/s
2,256.8
12.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3191
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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