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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
64
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.3
2,256.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
25
读取速度,GB/s
4,651.3
13.0
写入速度,GB/s
2,256.8
6.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
1907
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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