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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
64
左右 -73% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
37
读取速度,GB/s
4,651.3
19.5
写入速度,GB/s
2,256.8
12.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3355
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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