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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
64
左右 -146% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
26
读取速度,GB/s
4,651.3
15.6
写入速度,GB/s
2,256.8
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2783
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
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