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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB

总分
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

总分
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB 需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 42
    左右 -45% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.9 left arrow 6.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    9.7 left arrow 14.0
  • 写入速度，GB/s
    6.0 left arrow 8.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1396 left arrow 2345

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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内存RAM
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Kingston 9965604-033.D00G 16GB
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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