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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
31
读取速度,GB/s
9.7
12.2
写入速度,GB/s
6.0
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2869
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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