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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
9.7
19.3
写入速度,GB/s
6.0
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3914
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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