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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
9.7
17.9
写入速度,GB/s
6.0
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3385
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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