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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
9.7
19.1
写入速度,GB/s
6.0
16.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3859
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CM3X2G1600C8 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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