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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
9.7
18.0
写入速度,GB/s
6.0
15.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3711
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
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