RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
27
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3711
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link