RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3711
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link