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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 9965589-007.D01G 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.7
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
9.7
9.1
写入速度,GB/s
6.0
7.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2078
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
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