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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
59
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
59
读取速度,GB/s
9.7
20.1
写入速度,GB/s
6.0
10.6
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2382
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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